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我们可以从上面看到，变阻器具有对称的双向特性，即变阻器在正弦波形的两个方向（象限I和II）中操作，其行为方式与背对背连接的两个齐纳二极管类似。当不导通时，IV曲线显示出线性关系，因为流过压敏电阻的电流保持恒定，并且仅在几微安的“泄漏”电流下很低。这是因为它的高电阻起到开路的作用，并且在变阻器两端的电压（任一极性）达到特定的“额定电压”之前保持不变。

 

该额定或钳位电压是在规定的1mA直流电流下测量的压敏电阻两端的电压。也就是说，在其端子上施加的DC电压电平允许1mA的电流流过变阻器电阻体，其本身取决于其构造中使用的材料。在该电压电平下，变阻器开始从其绝缘状态变为导通状态。

 

当变阻器两端的瞬态电压等于或大于额定值时，由于半导体材料的雪崩效应，器件的电阻突然变得非常小，使变阻器变成导体。流过变阻器的小漏电流迅速上升，但其上的电压被限制在恰好高于变阻器电压的电平。

 

换句话说，压敏电阻通过允许更多的电流流过它来自我调节其上的瞬态电压，并且由于其陡峭的非线性IV曲线，它可以在很窄的电压范围内通过大范围变化的电流，从而削减任何电压尖峰。

压敏电阻电容值

  由于其两个端子之间的变阻器的主导电区域表现得像电介质，低于其钳位电压，变阻器的作用类似于电容器而不是电阻器。每个半导体压敏电阻的电容值直接取决于其面积，并与其厚度成反比变化。

 

当用在直流电路中时，压敏电阻的电容或多或少保持恒定，只要施加的电压不会增加到高于钳位电压电平，并且在其最大额定连续直流电压附近突然下降。

 

然而，在AC电路中，该电容会影响器件在其IV特性的非导通泄漏区域中的体电阻。由于它们通常与电气设备并联以保护其免受过电压的影响，因此随着频率的增加，变阻器的漏电阻迅速下降。

 

该关系与频率近似成线性，并且所得到的并联电阻，其AC电抗，Xc可以使用通常的1 /（2πC）来计算，与普通电容器相同。然后随着频率的增加，其漏电流也随之增加。

 

但是，除了基于硅半导体的压敏电阻之外，还开发了金属氧化物压敏电阻，以克服与其碳化硅同类相关的一些限制。