深圳市敏创电子有限公司

  需要高Q电容的典型应用是RF匹配应用，MRI扫描仪中使用的MRI成像线圈以及必须在更高频率下精确调谐的其他应用。在某些应用中，电容器本身的损耗可能足够高，实际上可以将温度升高到足以从电路板上去焊，这就是为什么必须在这种应用中使用高Q电容器的原因。即使温度升高不那么剧烈，它仍然会影响电路板上其他相邻元件的寿命。使用高Q电容的另一个原因是降低了热噪声。所有真正的电容器都具有等效的串联电阻，这种电阻会产生额外的热噪声。在卫星接收器等应用中，

 

典型值

  数据表通常以一个或多个频率引用Q因子。Q因子测量中使用的标准频率为1MHz。然而，由于Q因子随频率变化很大，因此在1MHz处给出的Q因子不是Q因子的良好近似，例如2GHz。

 

如果电容器用于高频，一些数据表将在较高频率下给出Q因子值。一些数据表甚至可以提供Q因子与频率图，可用于推导任何给定频率的Q因子。

 

  良好的高Q电容可以在1MHz时具有超过10,000的Q因子值，在100MHz时具有超过1,000的Q因子值，而标准电容器在1kHz时可以具有低至50的Q因子。高Q电容和标准电容之间的区别在于电容器的实际设计，以及所使用的材料。所有连接和引脚都尽可能短，以减少电阻，并由低电阻材料（如铜）制成。大多数高q值电容器制造商提供多层陶瓷芯片电容器，它们体积小，坚固耐用，寿命长，公差小，稳定性高，提供高Q值，但通常限制在十分之几皮法。这种电容器可以在高达20GHz的频率下使用，这对于大多数RF应用是足够的。 

 

在较低频率下，例如在音频应用中，钽电容器可用作高Q电容器。它们在足够高的频率下提供低ESR，并且如果电路设计需要更高的电容（高达约1mF），有时可以成为可行的替代方案。