深圳市敏创电子有限公司

IGBT 是Insulated Gate Bipolar Transistor的简称，即绝缘栅双极型晶体管。其具有高频率、高电压、大电流、易于开关等优点，其主要作用是进行交流电和直流电的转换、电压高低的转换。简而言之，IGBT就像一个“开关”，能够根据信号指令进行电路中的电压、电流、频率、相位等的精准调控。电动汽车具有高度电气化的特性，这就促成了IGBT在其中的应用。IGBT与动力电池电芯一起被业内并称为电动汽车的“双芯”。



IGBT作为影响电动汽车性能的核心器件之一，被应用于电动汽车的电池管理系统、电动控制系统、空调控制系统、充电系统等。IGBT用NTC热敏芯片，能对电动汽车中的IGBT模块进行实时的温度监测和温度控制，有效地防止IGBT运作温度过高，导致意外发生。


IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压

在IGBT模块变流器装置中，最关键的参数之一是IGBT芯片的温度。直接测量的办法是将温度传感器安装在芯片上或者成为芯片的一部分。如此做将会减少承载芯片电流能力的有效区域。一个可行的替代方案用来确定芯片的温度，从测量基板的温度作为一个已知点开始，使用热模型计算IGBT温度。在许多电力电子模块中，通常集成了NTC热敏邦定晶片热敏电阻，也称之为NTC热敏邦定晶片芯片，作为一个温度传感器以简化精确的温度测量的设计。